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一种新型封装结构的功率模块

实用新型无效专利
  • 申请号:
    CN201820926178.2
  • IPC分类号:H01L25/18H01L23/49
  • 申请日期:
    2018-06-15
  • 申请人:
    华北电力大学
著录项信息
专利名称一种新型封装结构的功率模块
申请号CN201820926178.2申请日期2018-06-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L25/18IPC分类号H01L25/18;H01L23/49查看分类表>
申请人华北电力大学申请人地址
北京市昌平区回龙观镇北农*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华北电力大学当前权利人华北电力大学
发明人谢宗奎;邹琦;柯俊吉;徐鹏;赵志斌;崔翔
代理机构北京高沃律师事务所代理人王戈
摘要
本实用新型公开一种新型封装结构的功率模块。该功率模块包括:第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座;第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管和二极管封装在底座内部;第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子以及第二驱动端子设置在底座的上表面;第一直流侧端子与第二直流侧端子位于同一轴线上。本实用新型所提供的同轴结构的直流侧端子有效地减小直流侧端子的距离并增大其耦合面积,增大直流侧端子的互感。

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