一种具有POI结构的掺钪氮化铝高频谐振器及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011501126.9
IPC分类号：H03H9/64
申请日期：
2020-12-18
申请人：
广东广纳芯科技有限公司

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专利名称	一种具有POI结构的掺钪氮化铝高频谐振器及制造方法
申请号	CN202011501126.9	申请日期	2020-12-18
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-06	公开/公告号	CN112615603A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H9/64 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H9/00 包括机电或电声器件的网络；机电谐振器（制造压电或磁致伸缩元件入H01L 41/00；扬声器，话筒，唱机拾音器或类似物入H04R） H03H9/46 滤波器（多端对机电滤波器入H03H 9/70）〔3〕 H03H9/64 应用声表面波〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;9;/;6;4查看分类表>
申请人	广东广纳芯科技有限公司	申请人地址	广东省广州市黄埔区开源大道136号D栋1004室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东广纳芯科技有限公司	当前权利人	广东广纳芯科技有限公司
发明人	李红浪;许欣;柯亚兵
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	杨洁

摘要

本发明涉及一种掺钪氮化铝的高频谐振器及其制造方法。该谐振器包括：高声速材料的衬底层、位于衬底层之上的欧拉角为(0°，90°，90°)或(90°，90°，180°)的温度补偿LGS层、位于温度补偿LGS层之上的ScxAl1‑xN压电层，x为41％或43％；以及压电层上的占空比为0.5－0.6的电极。其制造方法包括：将注入了离子的ScxAl1‑xN压电层与LGS层进行低温键合成第一结合层，将高声速材料衬底层和另一LGS层进行低温键合成第二结合层，将第一和第二结合层在各自的LGS层那面进行低温键合，将部分压电层沿注入的离子形成的剥离界面剥离并蚀刻后沉积电极。本发明的谐振器具有较高的工作频率和综合性能。

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