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半导体存储器装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010650969.9
  • IPC分类号:H01L27/11568;H01L27/11578
  • 申请日期:
    2020-07-08
  • 申请人:
    爱思开海力士有限公司
著录项信息
专利名称半导体存储器装置及其制造方法
申请号CN202010650969.9申请日期2020-07-08
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-13公开/公告号CN112652629A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/11568
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人爱思开海力士有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人爱思开海力士有限公司当前权利人爱思开海力士有限公司
发明人李相范
代理机构北京市金杜律师事务所代理人崔卿虎
摘要
本技术包括半导体存储器装置及其制造方法。半导体存储器装置包括第一半导体层、各自设置在第一半导体层上的单元堆叠和外围堆叠、在第一方向上延伸并且穿透单元堆叠和外围堆叠的第一缝隙结构、穿透外围堆叠并且与第一缝隙结构间隔开的穿透结构、以及穿透外围堆叠的支撑结构。支撑结构包括彼此间隔开的第一侧壁部分和将第一侧壁部分彼此连接的第二侧壁部分,并且穿透结构被设置在第一侧壁部分之间。

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