NMOS功率管栅极驱动模块、驱动电路及开关电源

发明专利有效专利

申请号：
CN202110611418.6
IPC分类号：H02M1/08;H02H7/12;H02H1/00
申请日期：
2021-06-02
申请人：
上海芯龙半导体技术股份有限公司

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著录项信息

专利名称	NMOS功率管栅极驱动模块、驱动电路及开关电源
申请号	CN202110611418.6	申请日期	2021-06-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-02	公开/公告号	CN113067464A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M1/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M1/00 变换装置的零部件〔1，2007.01〕 H02M1/08 为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路	IPC分类号	H;0;2;M;1;/;0;8;;;H;0;2;H;7;/;1;2;;;H;0;2;H;1;/;0;0查看分类表>
申请人	上海芯龙半导体技术股份有限公司	申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区金豫路251号2幢2楼西变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海芯龙半导体技术股份有限公司	当前权利人	上海芯龙半导体技术股份有限公司
发明人	贾生龙;李瑞平
代理机构	杭州五洲普华专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	徐晶晶

摘要

本发明提供了一种NMOS功率管栅极驱动模块、驱动电路及开关电源，涉及开关电源技术领域，所述NMOS功率管栅极驱动模块采用晶体管集成电路工艺实现。所述NMOS功率管栅极驱动模块内部电路简单、适用于开关电源驱动电路以及升压式开关电源。通过快速开启与关闭NMOS功率管，解决NMOS功率管应用于开关电源芯片内的开启与关断损耗大的问题，并自带过流检测功能，具有结构简单、成本低、可靠性高的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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