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用于芯片封装件的结构和形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610080185.0
IPC分类号：H01L23/29;H01L21/56
申请日期：
2016-02-04
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于芯片封装件的结构和形成方法
申请号	CN201610080185.0	申请日期	2016-02-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-04-19	公开/公告号	CN106571346A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/29 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/29 按材料特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	洪瑞斌;黄震麟;刘献文;郑心圃
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

提供了芯片封装件的结构和形成方法。芯片封装件包括半导体管芯和部分或地包封半导体管芯的封装层。芯片封装件也包括穿透封装层的导电部件。芯片封装件还包括界面层，该界面层连续地围绕导电部件。界面层位于导电部件和封装层之间，并且界面层由金属氧化物材料制成。

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