太赫兹波二维电光面阵成像方法

1.一种太赫兹波二维电光面阵成像方法，其特征在于：通过构建二维电光面阵成像系统，用二维面阵电光晶体探测器取代现有的单块状探测器，在探测部分后面放置一光学检偏器，取出对应于每个二维面阵电光晶体探测器上的被成像物体调制后的光信号，再经电荷耦合器件成像于电子显示屏上，完成二维电光面阵成像过程。
2.根据权利要求1所述的太赫兹波二维电光面阵成像方法，其特征是，具体步骤如下：首先，构建一个太赫兹波二维电光面阵成像系统，即由m×n个小面积碲化锌组成的m×n二维电光面阵，每个微小面积的碲化锌阵元都是一个独立的探测器，即二维面阵电光晶体探测器，其次，将二维面阵电光晶体探测器放在太赫兹波二维电光面阵成像系统的像平面上，取代原来同样面积的单块的探测信号的半导体碲化锌即单块状探测器，载有物体二维太赫兹波强度分布的太赫兹波成像波通过此面阵，然后，在探测部分后面放置一光学检偏器，经光学检偏得到物体在可见、近红外波的太赫兹波成像，取出对应于每个二维面阵电光晶体探测器上的被成像物体调制后的光信号，最后，被成像物体调制后的光信号通过面阵电荷耦合器件，进行光电转换、信号存储和信号传输，再将所探测到的太赫兹波成像于电子显示屏上，完成二维电光面阵成像过程。
3.根据权利要求1所述的太赫兹波二维电光面阵成像方法，其特征是采用半导体材料碲化锌，或采用电光效应较强的有机聚合物薄膜作为二维面阵电光晶体探测器材料，这些材料通过分子束外延，化学生长后进行物理化学刻蚀成格子网状而构成m×n二维电光面阵。
4.根据权利要求2或3所述的太赫兹波二维电光面阵成像方法，其特征是m×n二维电光面阵材料及其尺寸由分子束外延和物理化学刻蚀得到，材料的尺寸在μm即1×10-12m量级。

暂无