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用于形成背面管芯平面器件和SAW滤波器的方法和装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201480080467.X
IPC分类号：H03H7/00;H04B1/00
申请日期：
2014-08-07
申请人：
英特尔公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于形成背面管芯平面器件和SAW滤波器的方法和装置
申请号	CN201480080467.X	申请日期	2014-08-07
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2017-05-31	公开/公告号	CN106797205A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H7/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H7/00 仅以无源电气元件作为网络部件的多端对网络（接收机输入电路H04B 1/18；模拟通信电缆长度的网络入H04B 3/40）〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;7;/;0;0;;;H;0;4;B;1;/;0;0查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	K·J·李;R·萨拉斯沃特;U·齐尔曼;N·P·考利;R·J·戈德曼
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	陈松涛;王英

摘要

描述了一种装置，其包括：具有再分布层(RDL)的第一管芯的背面；设置在所述背面上的一个或多个无源平面器件，所述一个或多个无源平面器件形成在所述RDL中；具有有源区的所述第一管芯的正面；以及一个或多个过孔，其用于将所述有源区与所述一个或多个无源平面器件耦合。

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