加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

碳纳米管场发射体的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210217752.4
  • IPC分类号:H01J9/02;H01J1/304
  • 申请日期:
    2012-06-28
  • 申请人:
    清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
著录项信息
专利名称碳纳米管场发射体的制备方法
申请号CN201210217752.4申请日期2012-06-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-01-15公开/公告号CN103515170A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J9/02IPC分类号H;0;1;J;9;/;0;2;;;H;0;1;J;1;/;3;0;4查看分类表>
申请人清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司申请人地址
北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司当前权利人清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
发明人柳鹏;徐丽江;周段亮;张春海;范守善
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种碳纳米管场发射体的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜包括多个沿同一方向定向排列的碳纳米管;沿着所述多个碳纳米管轴向的方向,对所述碳纳米管薄膜进行等间距切割,将所述碳纳米管薄膜裁切成多个带状碳纳米管薄膜;处理所述多个带状碳纳米管薄膜以形成多个碳纳米管线;以及将所述多个碳纳米管线放置于一导电载体上,用激光束切断所述多个碳纳米管线,得到一碳纳米管场发射体。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供