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一种单分散纳米铈离子改性介孔氧化硅材料合成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200310119099.9
  • IPC分类号:C01B39/04;B01J29/04
  • 申请日期:
    2003-12-15
  • 申请人:
    中国科学院金属研究所
著录项信息
专利名称一种单分散纳米铈离子改性介孔氧化硅材料合成方法
申请号CN200310119099.9申请日期2003-12-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-06-22公开/公告号CN1629071
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B39/04IPC分类号C;0;1;B;3;9;/;0;4;;;B;0;1;J;2;9;/;0;4查看分类表>
申请人中国科学院金属研究所申请人地址
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院金属研究所当前权利人中国科学院金属研究所
发明人张劲松;梁艳;张军旗
代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司代理人许宗富;周秀梅
摘要
本发明属于无机纳米材料技术领域,具体涉及一种单分散纳米Ce-MCM-41分子筛的合成方法。它以阳离子表面活性剂为模板剂,三嵌段共聚物为助剂,硝酸亚铈为铈源,在温和碱性条件下,形成溶胶反应液,进而合成出单分散纳米Ce-MCM-41分子筛。该方法合成的Ce-MCM-41分子筛具有纳米级的均匀球形颗粒,单分散,具有较好的有序介孔孔道,具有较高的比表面积和较大的孔体积,因而在催化、大分子分离、传感器、光学材料、生物芯片、有机-无机纳米复合材料以及化学机械抛光磨料等方面具有广阔的应用前景。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供