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制备钨-铜基复合粉末的方法和使用该复合粉末的散热片用烧结合金

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02142785.2
  • IPC分类号:B22F9/00;B22F9/20;B22F1/00
  • 申请日期:
    2002-09-19
  • 申请人:
    韩国机械研究院;纳米技术有限公司
著录项信息
专利名称制备钨-铜基复合粉末的方法和使用该复合粉末的散热片用烧结合金
申请号CN02142785.2申请日期2002-09-19
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2003-07-09公开/公告号CN1428218
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B22F9/00IPC分类号B;2;2;F;9;/;0;0;;;B;2;2;F;9;/;2;0;;;B;2;2;F;1;/;0;0查看分类表>
申请人韩国机械研究院;纳米技术有限公司申请人地址
韩国大田 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人韩国机械研究院当前权利人韩国机械研究院
发明人金柄淇;洪性贤;禹镛元
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人陈建全
摘要
本发明涉及一种制备W-Cu基复合粉末的方法,包含:首先通过溶解作为水溶性钨盐的偏钨酸铵[(NH4)6(H2W12O40)·4H2O]和硝酸铜或醋酸铜在水中成所需的组成,随后进行喷雾干燥和烧结而制得复合氧化物粉末;然后通过单独地煅烧含钨的盐例如仲钨酸铵[(NH4)10(H10W12O46)]而制得钨氧化物粉末;通过将20~75重量%的复合氧化物粉末和80~25重量%的钨氧化物粉末混合成所需组成,随后进行球磨,从而制成超细钨一铜基复合氧化物粉末;和在650~1050℃的温度下还原超细钨一铜基复合氧化物粉末。如果将复合粉末模塑成一定尺寸和然后在1110~1450℃的温度下烧结,由此可得到具有优越热导率和电导率的W-Cu基烧结合金。

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