半导体器件的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02127294.8
IPC分类号：H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/82;H01L27/10
申请日期：
2002-07-31
申请人：
株式会社日立制作所;日本电气株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件的制造方法
申请号	CN02127294.8	申请日期	2002-07-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-03-05	公开/公告号	CN1400639
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/3205 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/31 在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕 H01L21/3205 非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L 21/28）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0查看分类表>
申请人	株式会社日立制作所;日本电气株式会社	申请人地址	卢森堡卢森堡市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	PS4拉斯口有限责任公司	当前权利人	PS4拉斯口有限责任公司
发明人	铃树正恭
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	蔡胜有

摘要

通过CVD法形成改进了膜质量的金属膜，例如构成数据存储电容器下电极的Ru膜等。更具体地说，使用H2O作为催化剂，一价Ru化合物Ru(ACAC)(TMVS)2[ACAC：乙酰丙酮化物(CH3COCHCOCH3)-，TMVS：三乙基乙烯基硅烷(CH2CHSi(CH3)3)]作为原料，利用CVD法在氧化硅膜中的孔的侧壁和底表面上形成数据存储电容器的下电极Ru膜，在氧化硅膜上形成数据存储电容器。结果，通过产生零价Ru和包含三价Ru的Ru(ACAC)3，形成Ru膜。因此，如果利用歧化反应通过CVD法形成Ru膜，可以提高Ru膜的质量。而且，可以防止位于Ru膜下面的导电膜等氧化。

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