一种优化多负载DDR颗粒信号质量的PCB结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201921032498.4
IPC分类号：H05K1/02;H05K1/18
申请日期：
2019-07-04
申请人：
深圳市一博电路有限公司

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专利名称	一种优化多负载DDR颗粒信号质量的PCB结构
申请号	CN201921032498.4	申请日期	2019-07-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05K1/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05K 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造（其他类目不包括的仪器零部件或其他设备的类似零部件入G12B；薄膜或厚膜电路入H01L 27/01，H01L 27/13；用于对印刷电路或印刷电路之间的电连接的非印刷方法入H01R；用于特殊类型设备的外壳或其结构零部件，见有关小类；仅包括单一工艺的加工方法，例如已列入其他类目的加热、喷射，见有关的类） H05K1/00 印刷电路（多个单个半导体器件或固态器件的组装件入H01L 25/00；由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件组成的器件，例如集成电路，薄膜或厚膜电路，入H01L 27/00） H05K1/02 零部件	IPC分类号	H;0;5;K;1;/;0;2;;;H;0;5;K;1;/;1;8查看分类表>
申请人	深圳市一博电路有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区石岩街道松柏路旁中运泰科技工业园三号厂房二、三、四层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市一博电路有限公司	当前权利人	深圳市一博电路有限公司
发明人	黄刚;陈亮;刘为霞;吴均
代理机构	深圳市远航专利商标事务所（普通合伙）	代理人	张朝阳;袁浩华

摘要

本实用新型公开了一种优化多负载DDR颗粒信号质量的PCB结构，包括PCB板，在所述PCB板上，主芯片连接若干DDR颗粒，其特征在于，所述主芯片连接的第一个所述DDR颗粒为第一DDR颗粒，在所述主芯片与所述第一DDR颗粒之间连接的走线上设置有至少两个新增过孔，且所述新增过孔均接入所述主芯片与所述第一DDR颗粒之间连接的走线，相邻两个所述新增过孔之间的间距为50‑100mil。本实用新型与传统不增加额外过孔的做法相比，本实用新型能够很好的减缓主芯片输出的强度，降低上升沿，从而减少高频分量，减弱信号反射，明显改善了信号的波动情况，进而增加信号裕量，优化了多负载DDR颗粒信号质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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