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利用坩锅旋转以控制温度梯度的制备单晶硅的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200380108637.2
IPC分类号：C30B15/30;C30B15/00;C30B29/06
申请日期：
2003-10-31
申请人：
MEMC电子材料有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	利用坩锅旋转以控制温度梯度的制备单晶硅的方法
申请号	CN200380108637.2	申请日期	2003-10-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-02-22	公开/公告号	CN1738931
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/30 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/30 转动或移动熔体或晶体的机构（浮称法入C30B 15/28）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;3;0;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	MEMC电子材料有限公司	申请人地址	美国密苏里州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	MEMC电子材料有限公司	当前权利人	MEMC电子材料有限公司
发明人	Z·陆;S·L·金贝尔;Y·陶
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	马江立;秘凤华

摘要

本发明针对一种用于制备形式为晶锭或晶片的单晶硅的方法，其中使用坩埚旋转来控制该晶体中的尤其是位于或接近该中心轴线处的平均轴向温度梯度G0，该平均轴向温度梯度是半径的函数(即G0(r))。另外，使用坩埚转速调制来获得轴向均匀的氧含量。

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