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太阳能电池及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200980133046.8
  • IPC分类号:H01L31/042
  • 申请日期:
    2009-08-07
  • 申请人:
    LG电子株式会社
著录项信息
专利名称太阳能电池及其制造方法
申请号CN200980133046.8申请日期2009-08-07
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-07-20公开/公告号CN102132421A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/042
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;4;2查看分类表>
申请人LG电子株式会社申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人LG电子株式会社当前权利人LG电子株式会社
发明人金钟焕
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人丁香兰;庞东成
摘要
本发明公开了一种金属穿孔卷绕式太阳能电池及其制造方法,所述太阳能电池包含作为背板接触硅太阳能电池的金属穿孔卷绕式(MWT)结构。

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