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热处理装置和热处理方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01816575.3
IPC分类号：H01L21/205;H01L21/285;C23C16/44
申请日期：
2001-09-28
申请人：
东京毅力科创株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	热处理装置和热处理方法
申请号	CN01816575.3	申请日期	2001-09-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-09-22	公开/公告号	CN1531743
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/205 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕 H01L21/205 应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	河南博;田村登;小岛康彦;石坂忠大
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	龙淳

摘要

本发明提供一种热处理装置，其包括：容器；设置在上述容器内、在载置被处理体的同时、可以加热上述被处理体的加热板；向上述加热板供给电力的供电器件；在隔着间隙载置上述加热板的同时、可以冷却上述加热板的冷却块；和用于向上述空隙导入热传导气体的气体导入路。

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