加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种CaSnSiO5-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010045173.0
  • IPC分类号:C04B35/22;C04B35/453;C04B35/495;C04B35/622;C04B35/64
  • 申请日期:
    2020-01-13
  • 申请人:
    杭州电子科技大学
著录项信息
专利名称一种CaSnSiO5-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法
申请号CN202010045173.0申请日期2020-01-13
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-05-22公开/公告号CN111187062A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/22IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;4;5;3;;;C;0;4;B;3;5;/;4;9;5;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4查看分类表>
申请人杭州电子科技大学申请人地址
浙江省杭州市下沙高教园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州电子科技大学当前权利人杭州电子科技大学
发明人季玉平;宋开新;张上;张欣杨;刘兵;徐军明;高惠芳;武军
代理机构浙江永鼎律师事务所代理人陆永强
摘要
本发明公开一种CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法,该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)CaSnSiO5‑xK2MoO4,其中x为质量百分含量(x=20,30,35,40,50,60,70,80,90wt%)。CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料的介电常数(εr)范围为6.764~9.785,品质因数Qf数值的范围为2791GHz~11395GHz,谐振频率温度系数τf的范围为‑54.2ppm/℃~+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供