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含有硫原子的形成光刻用防反射膜的组合物

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200580034605.1
  • IPC分类号:G03F7/11;H01L21/027
  • 申请日期:
    2005-09-27
  • 申请人:
    日产化学工业株式会社
著录项信息
专利名称含有硫原子的形成光刻用防反射膜的组合物
申请号CN200580034605.1申请日期2005-09-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-09-19公开/公告号CN101040220
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/11IPC分类号G;0;3;F;7;/;1;1;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人日产化学工业株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日产化学工业株式会社当前权利人日产化学工业株式会社
发明人榎本智之;广井佳臣;中山圭介
代理机构北京市中咨律师事务所代理人段承恩;田欣
摘要
本发明的课题在于提供一种显示很高的防反射效果、不与光致抗蚀剂发生混合、具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度的可以在半导体器件制造的光刻工序中使用的防反射膜,和用于形成该防反射膜的组合物。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题,即,一种形成光刻用防反射膜的组合物,其含有:将具有硫脲结构的含硫化合物和具有2个以上的被羟甲基或烷氧基甲基取代的氮原子的含氮化合物在酸催化剂的存在下反应获得的反应生成物,和溶剂。

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