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边框架半逆作深基坑支护结构的构建方法及其构建物

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210116147.8
  • IPC分类号:E02D17/02
  • 申请日期:
    2012-04-19
  • 申请人:
    苏州工业园区设计研究院股份有限公司
著录项信息
专利名称边框架半逆作深基坑支护结构的构建方法及其构建物
申请号CN201210116147.8申请日期2012-04-19
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-08-29公开/公告号CN102650133A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号E02D17/02IPC分类号E;0;2;D;1;7;/;0;2查看分类表>
申请人苏州工业园区设计研究院股份有限公司申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区胜浦镇胜浦路168号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州工业园区设计研究院股份有限公司当前权利人苏州工业园区设计研究院股份有限公司
发明人张瑾;魏建华;邓继明;杨律磊
代理机构杭州天正专利事务所有限公司代理人王兵;黄美娟
摘要
边框架半逆作深基坑支护结构的构建方法及其构建物,所述的方法适用于软土地区的大平面尺寸深基坑工程,利用先施工的基坑周向一至两跨竖向和水平构件与外围灌注桩组成框架-剪力墙(钢支撑)抗侧力体系抵抗土压力,边框架范围内框架-剪力墙(钢支撑)自上而下逆作,地下室外墙和其余地下室主体结构则自下而上顺作;按照本发明所述的构建方法建造的深基坑支护结构,所述的钻孔灌注桩、竖向构件通过所述的钢筋混凝土横梁的节点连接,内部设置配筋砌体剪力墙或钢支撑,形成框架-剪力墙结构。本发明有益效果:后期无需爆破拆撑;适合平面尺度大的深基坑工程,节省水平、竖向支撑立柱;前期无需先施工全部地下室结构楼板,基坑内空旷,挖土出土方便。

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