监测和控制等离子体制造工艺的技术

发明专利无效专利

申请号：
CN200780008205.2
IPC分类号：H01J37/32;H01J49/40
申请日期：
2007-03-09
申请人：
瓦里安半导体设备公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	监测和控制等离子体制造工艺的技术
申请号	CN200780008205.2	申请日期	2007-03-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-04-01	公开/公告号	CN101401187
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;J;4;9;/;4;0查看分类表>
申请人	瓦里安半导体设备公司	申请人地址	美国麻萨诸塞州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瓦里安半导体设备公司	当前权利人	瓦里安半导体设备公司
发明人	具本雄;卢多维克·葛特;瓦斯里斯·朋内提斯·凡劳米斯;维克拉姆·辛区;方子韦;伯纳德·琳赛
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁

摘要

一种用于监测等离子体中的离子种类的飞行时间离子感测器包括外壳。漂移管定位于所述外壳中。提取器电极在所述外壳中定位于所述漂移管的一第一末端处，以便自等离子体吸引离子。多个电极定位于所述漂移管的一第一末端处并接近所述提取器电极。偏压所述多个电极，以便使被吸引的离子的至少一部分进入所述漂移管，且向所述漂移管的一第二末端漂移。一离子侦测器接近所述漂移管的所述第二末端而定位。所述离子侦测器侦测与所述被吸引离子的所述至少一部分关联的到达时间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供