活性种供给装置以及表面等处理装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201180031920.4
IPC分类号：H05H1/24;B01J19/08
申请日期：
2011-06-30
申请人：
富士机械制造株式会社;国立大学法人名古屋大学

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著录项信息

专利名称	活性种供给装置以及表面等处理装置
申请号	CN201180031920.4	申请日期	2011-06-30
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-05-22	公开/公告号	CN103120030A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05H1/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05H 等离子体技术（离子束管入H01J 27/00；磁流体发电机入H02K 44/08；涉及生成等离子体的产生X射线的入H05G 2/00）；加速的带电粒子或中子的产生（从放射源获取中子的入G21，例如：G21B，G21C，G21G）；中性分子或原子射束的产生或加速（原子钟入G04F 5/14；受激发射器件入H01S；通过与由分子、原子或亚原子粒子的能级所确定的基准频率相比较而进行频率调整的入H03L 7/26） H05H1/00 等离子体的产生；等离子体的处理（等离子体技术在热核聚变反应器的应用入G21B 1/00） H05H1/24 等离子体的产生〔2〕	IPC分类号	H;0;5;H;1;/;2;4;;;B;0;1;J;1;9;/;0;8查看分类表>
申请人	富士机械制造株式会社;国立大学法人名古屋大学	申请人地址	日本爱知县知立市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国立大学法人名古屋大学,株式会社富士	当前权利人	国立大学法人名古屋大学,株式会社富士
发明人	堀胜;加纳浩之;森一明;中根伸幸;渡边智弘;五十褄丈二
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	穆德骏;谢丽娜

摘要

在电极与工件之间难以产生放电。关于设于放电空间（42B）与等离子体输出口（16）之间的作为等离子体流出通路的构成要素的单独通路（81B），由X部分（81BX）、Z部分（81BZ）的比连接X部分（81BXX）的连接部（M）更靠放电空间侧的部分（81BZ0）、X部分（81BXX）、扩散器（82B）、狭缝（86）等构成主通路，由Z方向部分（81BZ）的比连接部（M）更靠与放电空间相反一侧的部分（81BZP）构成分支通路。接地板（90）以堵塞分支通路（81BZP）的状态设置。由于分支通路（81BZP）与主通路的部分（81BZ0）位于同一直线上，所以在与接地板（90）之间能够产生放电，而在与工件（W）之间难以产生放电。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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