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一种复合材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910998814.1
  • IPC分类号:H01L31/0352;H01L31/18
  • 申请日期:
    2019-10-21
  • 申请人:
    TCL集团股份有限公司
著录项信息
专利名称一种复合材料及其制备方法
申请号CN201910998814.1申请日期2019-10-21
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-07公开/公告号CN112768537A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0352IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人TCL集团股份有限公司申请人地址
广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人TCL集团股份有限公司当前权利人TCL集团股份有限公司
发明人叶炜浩;邹文鑫
代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王永文;宗继颖
摘要
本发明公开了一种复合材料及其制备方法,其中包括硅纳米线、包覆在所述硅纳米线表面的金属氧化物层,以及包覆在所述金属氧化物层表面的第一硅量子点层。本发明中,所述金属氧化物层可以有效地钝化硅纳米线与第一硅量子点层之间的界面缺陷以及第一硅量子点表面的悬空键,避免电子在界面缺陷处以及第一硅量子点表面进行非辐射复合发生淬灭;此外,由于金属氧化物自身显负电性的性质,可以在金属氧化物周围空间形成局域静电场,阻止注入电子直接被硅纳米线缺陷俘获,同时,吸引正极空穴注入到第一硅量子点层中,从而提高电子与空穴结合的几率,提高所述第一硅量子点层的发光强度,从而提升复合材料的电致发光性能。

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