加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种化学气相沉积装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010162506.4
  • IPC分类号:H01L21/205
  • 申请日期:
    2010-04-28
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称一种化学气相沉积装置
申请号CN201010162506.4申请日期2010-04-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-09-01公开/公告号CN101819925A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/205IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路甲35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人段瑞飞;曾一平;王军喜;冉军学;胡国新;羊建坤;梁勇;路红喜;李晋闽
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人周国城
摘要
本发明公开了一种化学气相沉积装置,该装置包括多个独立的生长室,该多个独立的生长室位于一箱体之内,使用机械臂进行样品的传递,分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长,以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明,解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂,受到影响因素较多,工艺可重复性差,可推广性差,同时工艺周期长,生产效率低下等问题。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供