一种碳化硅高压MPS二极管的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610275558.X
IPC分类号：H01L21/04;H01L29/06;H01L21/329
申请日期：
2016-04-29
申请人：
北京世纪金光半导体有限公司

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专利名称	一种碳化硅高压MPS二极管的制造方法
申请号	CN201610275558.X	申请日期	2016-04-29
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-09-07	公开/公告号	CN105931950A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;4;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人	北京世纪金光半导体有限公司	申请人地址	北京市通州区经济技术开发区通惠干渠路17号院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京世纪金光半导体有限公司	当前权利人	北京世纪金光半导体有限公司
发明人	倪炜江
代理机构	北京中创阳光知识产权代理有限责任公司	代理人	尹振启;张宇锋

摘要

本发明公开了一种碳化硅高压MPS二极管的制造方法，其包括如下步骤：在n型外延材料上制作掩膜图形层；刻蚀SiC，在没有掩膜的地方刻蚀出SiC凹槽；进行Al离子注入，在SiC凹槽处Al直接注入到了SiC内，退火后形成掺杂；用HF酸或BOE腐蚀去掉掩膜，并对SiC表面进行清洗；用热氧化的方法生长一层薄的氧化层，再用HF或BOE腐蚀掉氧化层；放入外延炉中进行p型二次外延生长；用CMP方法进行抛光，把n层台面上的p层全部去掉，并且也去掉部分的n层；背面淀积金属，进行快速退火形成欧姆接触；在表面淀积金属，形成肖特基接触，并进行光刻腐蚀形成图形；淀积并形成电极金属。本方法利用二次外延生长的特点和凹槽的形貌，解决凹槽填充的难题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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