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具有集成式固态薄膜参比电极的GaN生物传感器及制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610326568.1
  • IPC分类号:G01N27/327;G01N27/26;B81C1/00
  • 申请日期:
    2016-05-17
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称具有集成式固态薄膜参比电极的GaN生物传感器及制作方法
申请号CN201610326568.1申请日期2016-05-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-07-27公开/公告号CN105806913A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/327IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;3;2;7;;;G;0;1;N;2;7;/;2;6;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人张鹏;张晨阳;谢涌;马晓华;施建章;郝跃
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人陆万寿
摘要
本发明公开了一种具有集成式固态薄膜参比电极的GaN生物传感器及制作方法,本发明提出的基于GaN生物传感器的集成式固态薄膜参比电极与GaN生物传感器现用外置参比电极相比,电极位置固定,采用微电子工艺制作,参比电极精密度更高,且与GaN器件同时制作使得制作成本低,集成度高,易于进行小型化和便携式GaN生物传感器的实现。

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