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化合物-半导体光伏电池及化合物-半导体光伏电池的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201580032429.1
  • IPC分类号:H01L31/0687;H01L31/0693
  • 申请日期:
    2015-07-08
  • 申请人:
    株式会社理光
著录项信息
专利名称化合物-半导体光伏电池及化合物-半导体光伏电池的制造方法
申请号CN201580032429.1申请日期2015-07-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-05-10公开/公告号CN106663714A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0687
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;6;8;7;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;9;3查看分类表>
申请人株式会社理光申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社理光当前权利人株式会社理光
发明人佐藤俊一
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人王增强
摘要
一种化合物‑半导体光伏电池包括由晶格匹配于GaAs或Ge的第一化合物‑半导体材料制成的第一光电转换电池;第一隧道结层,其布置在光入射方向上比第一光电转换电池更远的深侧上,并包括第一p‑型(Alx1Ga1‑x1)y1In1‑y1As(0≦x1<1,0

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