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半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110265211.4
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2011-09-08
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN201110265211.4申请日期2011-09-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-03-27公开/公告号CN103000664A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人朱慧珑;骆志炯;尹海洲
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人倪斌
摘要
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括:半导体层;对所述半导体层构图形成的鳍片;以及跨于所述鳍片上的栅堆叠,其中,所述鳍片在底部包括掺杂的阻挡区。根据本发明的实施例,通过所述阻挡区,可以有利地防止鳍片底部的漏电流。

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