MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310293559.3
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/06
申请日期：
2013-07-12
申请人：
长春理工大学

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专利名称	MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法
申请号	CN201310293559.3	申请日期	2013-07-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2013-09-25	公开/公告号	CN103320760A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6查看分类表>
申请人	长春理工大学	申请人地址	吉林省长春市朝阳区卫星路7989号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长春理工大学	当前权利人	长春理工大学
发明人	蒋大勇;赵曼;秦杰明;梁庆成;赵建勋;高尚;侯建华
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所	代理人	陶尊新

摘要

MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法属于半导体光电技术领域。现有技术在MgxZn1–xO薄膜晶体的生长过程中出现Zn原子流失。本发明在射频磁控溅射仪的真空室中进行，将由MgxZn1–xO陶瓷靶材制作的圆片状溅射靶放置在真空室内的溅射靶台上；衬底与溅射靶相对并位于溅射靶上方，真空室抽真空后通入溅射气体；衬底升温，提供溅射功率；其特征在于，在所述溅射靶台上增设一个Zn环靶，Zn环靶的内径等于所述溅射靶的外径，由溅射靶和Zn环靶构成叠靶。在Zn环靶上方形成上升的圆筒状Zn原子流，在一定程度上防止Mg、Zn、O原子流中的Zn流失，也对Mg、Zn、O原子流中的Zn流失进行Zn补充，MgxZn1–xO薄膜晶体中的Zn空位得到填补。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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