一种碳化硅沉积设备及其进气装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201611177540.2
IPC分类号：C23C16/455;C23C16/32
申请日期：
2016-12-19
申请人：
湖南顶立科技有限公司

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专利名称	一种碳化硅沉积设备及其进气装置
申请号	CN201611177540.2	申请日期	2016-12-19
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-22	公开/公告号	CN106435527A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/455 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/455 向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;3;2查看分类表>
申请人	湖南顶立科技有限公司	申请人地址	湖南省长沙市长沙经济技术开发区星沙产业基地蓝田北路以东、凉塘东路以北、双塘路以西湖南顶立科技有限公司内变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖南顶立科技有限公司	当前权利人	湖南顶立科技有限公司
发明人	戴煜;胡祥龙;周岳兵
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	罗满

摘要

本发明提供了一种碳化硅沉积设备的进气装置，包括MTS储液罐、混合罐和缓冲罐，MTS储液罐上设有氢气输入管道，氢气输入管道开口伸入到MTS液位下方，MTS储液罐的顶部还设有储液罐排气口，储液罐排气口通过第一管道与混合罐的第一进气口相连，混合罐还设有第二进气口，第二进气口用于输入氩气，混合罐设有混合罐排气口，混合罐排气口通过第二管道与缓冲罐的进气口相连，缓冲罐设有缓冲罐排气口，缓冲罐排气口通过第三管道与碳化硅沉积设备的炉体相连。本发明的进气装置，设置混合罐和缓冲罐，工艺气体经过两个罐体之后可以减小压力波动，气体的压力也更容易控制。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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