瞬态电压抑制器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210161049.6
IPC分类号：H01L27/02;H01L21/822
申请日期：
2012-05-18
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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著录项信息

专利名称	瞬态电压抑制器及其制造方法
申请号	CN201210161049.6	申请日期	2012-05-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-04	公开/公告号	CN103426879A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	段文婷;刘冬华;石晶;钱文生;胡君
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括：N型半导体衬底以及形成于N型半导体衬底上的P型外延层。齐纳二极管由形成于N型半导体衬底的表面的P+埋层和该P+埋层底部的N型半导体衬底组成。在P+埋层的正上方的P型外延层表面形成有一N+区，N+区和其底部的P型外延层组成上二极管。在和上二极管相隔一横向距离的P型外延层表面形成有一P+区，P+区和其底部的P型外延层和N型半导体衬底组成下二极管。本发明还公开了一种瞬态电压抑制器的制造方法。本发明的衬底的N型杂质在工艺的热处理过程中不易扩散，不会造成由于衬底的杂质扩散到外延层中而使外延层的厚度消耗掉的缺陷，能减少形成器件所需的外延层的厚度，降低工艺成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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