一种层状钴铝双羟基复合金属氧化物电极材料的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410077946.4
IPC分类号：H01G9/04H01G13/00H01M4/04H01M14/00
申请日期：
2004-09-21
申请人：
北京化工大学

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著录项信息

专利名称	一种层状钴铝双羟基复合金属氧化物电极材料的制备方法
申请号	CN200410077946.4	申请日期	2004-09-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-03-29	公开/公告号	CN1753115
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G9/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G9/00 电解电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件；其制造方法〔2〕 H01G9/004 零部件〔6〕 H01G9/04 电极〔6〕	IPC分类号	H01G9/04;H01G13/00;H01M4/04;H01M14/00查看分类表>
申请人	北京化工大学	申请人地址	北京市朝阳区北三环东路*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京化工大学	当前权利人	北京化工大学
发明人	段雪;杨文胜;王毅
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	何俊玲

摘要

本发明涉及一种层状结构钴铝双羟基复合金属氧化物(Co-Al-LDH)超级电容器电极材料的制备方法，属于超级电容器电极材料的制备技术领域。本发明利用全返混液膜反应器进行钴、铝混合盐溶液与碱溶液的共沉淀反应，使成核/晶化隔离进行，分别控制晶体的成核和生长条件，然后在一定温度下进行焙烧，在保持钴铝双羟基复合金属氧化物层状结构的基础上使钴的电化学活性位充分暴露。本发明方法克服了现有技术中颗粒尺寸难以控制、颗粒较大、颗粒不均及钴的电化学活性位不能充分暴露的缺陷。制备出比电容高、倍率特性好、电化学循环性能佳的层状结构钴铝双羟基复合金属氧化物超级电容器电极材料。

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发明授权

一种层状钴铝双羟基复合金属氧化物电极材料的制备方法

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