一种均相阴离子交换膜的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310044781.X
IPC分类号：C08J7/12;C08J5/22;C08L23/06;C08L53/02;B01D67/00;B01D69/10;B01D71/80
申请日期：
2013-01-31
申请人：
大连多相触媒有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种均相阴离子交换膜的制造方法
申请号	CN201310044781.X	申请日期	2013-01-31
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-08-06	公开/公告号	CN103965497A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08J7/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08J 加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理（塑料的加工，如成型入B29）〔2〕 C08J7/00 高分子物质成形制品的化学处理或涂层（镀复金属材料入C23C；金属的电介沉积入C25）〔2〕 C08J7/12 化学改性〔2〕	IPC分类号	C;0;8;J;7;/;1;2;;;C;0;8;J;5;/;2;2;;;C;0;8;L;2;3;/;0;6;;;C;0;8;L;5;3;/;0;2;;;B;0;1;D;6;7;/;0;0;;;B;0;1;D;6;9;/;1;0;;;B;0;1;D;7;1;/;8;0查看分类表>
申请人	大连多相触媒有限公司	申请人地址	辽宁省大连市沙河口区中山路584号东方星海A座2705室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中触媒新材料股份有限公司	当前权利人	中触媒新材料股份有限公司
发明人	李进;刘中清;刘颐静;史振宇;张旭旺;王志刚
代理机构	北京万科园知识产权代理有限责任公司	代理人	刘俊玲;张亚军

摘要

本发明提供一种均相阴离子交换膜的制造方法，它包括以下步骤：(1)、以低密度聚乙烯和SBS弹性体二元共混合金为淋膜材料在支撑材料表面淋膜，得到基膜；(2)、将步骤(1)制得的基膜先进行氯甲基化，得到氯甲基膜，接着将氯甲基膜进行季铵化，得阴离子交换膜。本发明的方法工艺简单，流程短，三废少，制备的阴离子交换膜具有离子交换容量高、面电阻低、膜的厚度薄、强度高、尺寸稳定性好、变形率小等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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