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一种泡沫镍基内嵌金属氧化物碳洋葱阵列的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810774287.1
  • IPC分类号:C22C1/10;C22C1/08;C22C19/03;B82Y40/00;B82Y30/00
  • 申请日期:
    2018-07-16
  • 申请人:
    吉林长玉特陶新材料技术股份有限公司
著录项信息
专利名称一种泡沫镍基内嵌金属氧化物碳洋葱阵列的制备方法
申请号CN201810774287.1申请日期2018-07-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-01-04公开/公告号CN109136621A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C22C1/10IPC分类号C;2;2;C;1;/;1;0;;;C;2;2;C;1;/;0;8;;;C;2;2;C;1;9;/;0;3;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人吉林长玉特陶新材料技术股份有限公司申请人地址
吉林省长春市北湖科技开发区吉星大厦1712室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人吉林长玉特陶新材料技术股份有限公司当前权利人吉林长玉特陶新材料技术股份有限公司
发明人王玉金;阮超;张翰超;谢芳;王诗阳
代理机构北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)代理人姜美洋
摘要
本发明公开了一种泡沫镍基内嵌金属氧化物碳洋葱阵列的制备方法,包括:步骤一、将原料硝酸盐、氟化铵、尿素加入到盛有去离子水的聚四氟乙烯内衬反应釜中,将泡沫镍圆片置于反应釜液面上,并在泡沫镍圆片顶端涂满胶带,封闭反应釜置于恒温干燥箱中进行水热反应;步骤二、水热反应完成后,得到附载有碱式碳酸盐纳米线阵列的泡沫镍圆片,置于马弗炉中退火,得泡沫镍基氧化物纳米线阵列;步骤三、将泡沫镍基氧化物纳米线阵列置于水平管式炉中,通入碳源气体和高纯氩气载气,升温至350℃,反应30min后停止通入碳源气体并停止加热,继续通入高纯氩气直至管式炉冷却至室温,制得镍基内嵌金属氧化物碳洋葱阵列。本发明制备的阵列具备良好的循环稳定性。

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