一种逐层减薄少层二维过渡金属硫化物的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110534996.4
IPC分类号：H01L21/428;B23K26/06;B23K26/064;B23K26/36;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2021-05-17
申请人：
清华大学

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专利名称	一种逐层减薄少层二维过渡金属硫化物的方法
申请号	CN202110534996.4	申请日期	2021-05-17
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-01	公开/公告号	CN113471079A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/428 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/34 具有H01L 21/06，H01L 21/16及H01L 21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件〔2〕 H01L21/42 用辐射轰击的〔2〕 H01L21/423 带有高能辐射的〔2〕 H01L21/428 应用电磁辐射的，例如激光辐射〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;2;8;;;B;2;3;K;2;6;/;0;6;;;B;2;3;K;2;6;/;0;6;4;;;B;2;3;K;2;6;/;3;6;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	赵海燕;裴家云
代理机构	北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王萌

摘要

本发明公开了一种逐层减薄少层二维过渡金属硫化物(TMDCs)的方法，包括以下步骤：将TMDCs材料转移到目标基底上；对TMDCs材料的层数进行测定；选定少层TMDCs材料的区域，对选定区域的少层TMDCs材料进行激光扫描辐照，采用逐层减薄的方式实现对少层TMDCs材料的层数和厚度的精确控制，选定区域的少层TMDCs材料的层数在4层以内。本发明通过激光辐照逐层减薄的方式实现了对少层TMDCs材料层数厚度的精确控制，且能够获得高质量的产品；另外，本发明可以任意选取加工区域，即在样品表面任意位置进行加工减薄，且对别的区域影响很小，相较而言，本方法更快速，更具柔性和可控性。

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