分布式半导体管芯和封装架构

发明专利有效专利

申请号：
CN201811517402.3
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/56
申请日期：
2018-12-12
申请人：
英特尔公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	分布式半导体管芯和封装架构
申请号	CN201811517402.3	申请日期	2018-12-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-19	公开/公告号	CN110034079A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	W.戈梅斯;M.T.博尔;R.库马;R.L.桑克曼;R.V.马哈詹;W.D.麦卡洛
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	李啸;刘春元

摘要

本公开针对使用完全或部分跨基本管芯的或者一部分或者在其之中、之上或周围来形成的电网格网络将多个物理地相对小的IP核管芯导电地耦合到物理地相对更大的基本管芯的系统和方法。电网格网络有益地准许IP核紧邻基本管芯所携带的支持电路的定位。IP核电路与支持电路之间的最小间隔有利地改进通信带宽，同时降低功率消耗。IP核的每个可包括功能上专用的电路，例如处理器核电路、现场可编程逻辑、存储器或图形处理电路。IP核管芯的使用有益并且有利地准许广泛种类的IP核的使用，其各自具有到电网格网络的通用或类似接口。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供