一种以PEAK为基底的耐高温柔性导电材料及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201910402810.2
IPC分类号：H01B13/00;H01B5/14;C25D3/46;C25D5/54
申请日期：
2019-05-15
申请人：
大连大学

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著录项信息

专利名称	一种以PEAK为基底的耐高温柔性导电材料及其制备方法
申请号	CN201910402810.2	申请日期	2019-05-15
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2019-08-02	公开/公告号	CN110085371A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B13/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B13/00 制造导体或电缆制造的专用设备或方法	IPC分类号	H;0;1;B;1;3;/;0;0;;;H;0;1;B;5;/;1;4;;;C;2;5;D;3;/;4;6;;;C;2;5;D;5;/;5;4查看分类表>
申请人	大连大学	申请人地址	辽宁省大连市经济技术开发区学府大街10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连大学	当前权利人	大连大学
发明人	李秀平;王小仪;那兆霖;刘程;刘文韬
代理机构	大连智高专利事务所（特殊普通合伙）	代理人	胡景波

摘要

一种以PEAK为基底的耐高温柔性导电材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。本发明在干净的ITO玻璃上采用计时电流方法进行电化学沉积银，所用电解液为AgNO3和NaNO3混合溶液，参比电极为饱和硫酸亚汞电极，对电极为铂丝，工作电极为ITO玻璃，经过电化学沉积后得到ITO‑Ag；将ITO‑Ag放在加热平板上，纳米银导电层朝上，配制PEAK溶液滴涂或旋涂在纳米银导电层表面，加热使溶剂挥发得到PEAK‑Ag。本发明通过控制成膜条件，可以调节PEAK基底与纳米银导电层的结合程度，制备出纳米银导电层嵌入PEAK结构的材料。基于此结构可以充分发挥PEAK的耐热性，对纳米银进行有效的保护，使其在高温条件下不易被氧化，保持良好导电性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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