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涂布有凸点的半导体晶片的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200680056544.3
IPC分类号：H01L21/60
申请日期：
2006-12-08
申请人：
汉高股份两合公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	涂布有凸点的半导体晶片的方法
申请号	CN200680056544.3	申请日期	2006-12-08
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-12-02	公开/公告号	CN101595553
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	汉高股份两合公司	申请人地址	德国杜塞尔多夫变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	汉高股份两合公司	当前权利人	汉高股份两合公司
发明人	D·怀亚特;G·达特;A·P·珀瑞兹
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	赵蓉民;路小龙

摘要

描述了将有凸点的晶片的有源面涂布正面保护(FSP)材料或晶片级底部填充剂(WLUF)，而不会使焊料凸点污染上涂料和/或填料的方法。在该方法中，将防护材料施加在晶片有源面上焊料凸点的顶部，然后用涂料涂布晶片的正面，对涂料进行硬化，并且任选地将防护材料从焊料凸点去除。

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