一种适用于晶体硅组件的新型边框

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201521109964.6
IPC分类号：H02S30/10
申请日期：
2015-12-28
申请人：
陕西拓日新能源科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种适用于晶体硅组件的新型边框
申请号	CN201521109964.6	申请日期	2015-12-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02S30/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02S 由红外线辐射、可见光或紫外光转换产生电能，如使用光伏（PV）模块（从放射性源获取电能入G21H 1/12；无机光敏半导体器件入H01L 31/00；热电器件入H01L35/00，H01L 37/00；有机光敏半导体器件入H01L 51/42）〔2014.01〕 H02S30/00 除涉及光转换以外的光伏模块的结构零部件（电解光敏器件模块的半导体器件部分入H01G 9/20，无机光伏模块的半导体器件部分入H01L 31/00，有机光伏模块的半导体器件部分入H01L 51/42）〔2014.01〕 H02S30/10 框架结构〔2014.01〕	IPC分类号	H;0;2;S;3;0;/;1;0查看分类表>
申请人	陕西拓日新能源科技有限公司	申请人地址	陕西省渭南市开发区新盛路阳光大厦五楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陕西拓日新能源科技有限公司	当前权利人	陕西拓日新能源科技有限公司
发明人	陈五奎;刘强;雷晓全;李社平;刘俊;韩珍;陈晓华
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型的目的在于提供一种适用于晶体硅组件的新型边框，包括主体框架，主体框架上端设有插接口，下端设有下边板，插接口包括上边框和下边框，上边框的长度大于下边框的长度，且上边框外端内侧与所述下边框外端内侧相互之间的水平间距为4.4-4.6mm,下边框内侧配置有向下开设的凹槽，由上边框与主体框架连接处到上边框端部为一段向下的弧线，弧线末端设置有下凸头，下边框的末端与下边框的下表面连接处为一弧形连接，凹槽的上表面与下边框的下表面处于同一水平面，下边框的型材厚度为0.7mm，主框架外表面设置有主体框架凹槽，下边板设置有下边板凹槽。本实用新型不仅能够在装配过程中减少二次补胶，而且能够克服出现闪电纹的现象。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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