半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN99105780.5
IPC分类号：--
申请日期：
1999-04-15
申请人：
日本电气株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件
申请号	CN99105780.5	申请日期	1999-04-15
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	1999-10-20	公开/公告号	CN1232299
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	日本电气株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	恩益禧电子股份有限公司	当前权利人	恩益禧电子股份有限公司
发明人	铃木久满
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	穆德骏;余朦

摘要

提供一种包括自对准型多发射极双极晶体管的半导体器件,其中每个集电极－基极隔离长度可以被减小成与集电极－基极击穿电压相连所允许的最小值,在这种双极晶体管中,一个以上发射极/基极形成区和至少一个集电极引线区排列在单独的阵列中,而非本征基区通过基极引线电极连接到具有设置在单独阵列外部的接触栓塞的至少一个基极电极上。因此,可以将集电极电阻、集电极－基极电容和集电极－衬底电容最小化,还可将双极晶体管的元件尺寸最小化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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