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一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610795669.3
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2016-08-31
  • 申请人:
    深圳市华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法
申请号CN201610795669.3申请日期2016-08-31
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-12-14公开/公告号CN106229346A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人深圳市华星光电技术有限公司申请人地址
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市华星光电技术有限公司当前权利人深圳市华星光电技术有限公司
发明人刘勋
代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司代理人孙伟峰;武岑飞
摘要
本发明公开了本发明一方面提供了一种氧化物半导体薄膜晶体管,包括基板,基板上设有图形化的氧化物半导体层,在氧化物半导体层上沉积栅极绝缘层,栅极绝缘层上有图案化的栅极层,氧化物半导体层的一侧上设有第一道氧化铟锡层,氧化物半导体层的另一侧设置有像素电极,在氧化铟锡层、栅极层以及像素电极上沉积有层间绝缘层,在层间绝缘层上刻蚀有过孔,并在层间绝缘层的一侧沉积出图形化的第二道金属层,在第二道金属层上沉积有钝化层并刻蚀有过孔,钝化层上沉积共同电电极层。本发明另一方面提供了一种氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法,与现有技术相比,减少了半导体源极和漏极两端的电阻率,既保障了电阻率小的需求,从而提高了产品的稳定性。

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