用于超高真空互联装置中的掩模版

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201720713804.5
IPC分类号：G03F1/76
申请日期：
2017-06-19
申请人：
上海大学;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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著录项信息

专利名称	用于超高真空互联装置中的掩模版
申请号	CN201720713804.5	申请日期	2017-06-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/76 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/68 未包含在G03F 1/20至G03F 1/50组中的制备工艺〔2012.01〕 G03F1/76 通过成像的掩膜的图案化〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;7;6查看分类表>
申请人	上海大学;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	申请人地址	上海市宝山区上大路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海大学,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	当前权利人	上海大学,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人	吴翠艳;王荣新;钟耀宗;朱文清;丁孙安
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	王锋

摘要

本实用新型公开了一种用于超高真空互联装置中的掩模版，包括一个以上图形化三维微通孔结构，所述图形化三维微通孔结构与所需二维图形相对应，并用以在超高真空环境中进行图形化转移。本实用新型提供的掩模版能有效解决高真空环境下图形转移的问题；并且所述掩膜版结构简单、价格低廉，制备工艺简单，使用方便，可以循环利用，绿色环保；同时可以简化传统图形化的工艺，避免传统光刻工艺中光敏材料的涂覆和去除所带来的器件表面污染和结构损伤的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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