一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610298900.8
IPC分类号：C30B28/06;C30B29/06
申请日期：
2016-05-05
申请人：
中国科学院合肥物质科学研究院

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专利名称	一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法
申请号	CN201610298900.8	申请日期	2016-05-05
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-07-13	公开/公告号	CN105755538A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B28/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B28/00 制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 C30B28/04 由液态制备〔5〕 C30B28/06 正常凝固法或温度梯度凝固法〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	中国科学院合肥物质科学研究院	申请人地址	安徽省合肥市蜀山湖路350号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院合肥物质科学研究院	当前权利人	中国科学院合肥物质科学研究院
发明人	陈健;孙继飞;何秋湘;李京伟;班伯源
代理机构	安徽合肥华信知识产权代理有限公司	代理人	余成俊

摘要

本发明公开了一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法。该制备方法包括：选择合适的冶金多晶硅料，要求B<1ppmw,P<1ppmw,B/P重量比为1:0.5～1:3，金属<1ppmw，电阻率高于0.5Ω·cm,在冶金多晶硅料中掺入微量锡，锡的含量为1～200ppmw，然后在保护气氛下，生长掺锡的冶金多晶硅铸锭。本发明方法简单，制备的掺锡冶金多晶硅铸锭少子寿命比未掺锡的冶金多晶硅铸锭少子寿命显著提高，也比相同条件下用化学法原生多晶硅制备的常规P型和化学法原生多晶硅掺锡P型多晶硅铸锭工艺简化，成本降低。掺锡冶金多晶硅铸锭生产方法与常规铸锭工艺兼容，成本低，实用性强，适用于制造低成本，高质量的多晶硅太阳电池。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN101999013A	2011-03-30	2009-03-27	通过添加掺杂杂质制造光伏级晶体硅的方法及光伏电池无效专利	阿波朗.索拉尔公司
2	CN101220507A	2008-07-16	2007-10-08	一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法无效专利	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
3	CN102560641A	2012-07-11	2012-03-20	一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法有效专利	浙江大学
4	JP2002299671A	暂无	2001-04-03	Aerodynamic characteristic-testing model of turbo machine with strut公开	Canon Inc;キヤノン株式会社
5	CN102191536A	2011-09-21	2011-06-16	定向凝固法生长硅晶体时控制坩埚底面结晶成核的方法无效专利	浙江碧晶科技有限公司
6	CN104465799A	2015-03-25	2013-09-25	一种晶体硅太阳能电池及其制备方法有效专利	比亚迪股份有限公司
7	CN102828243A	2012-12-19	2012-09-06	太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法有效专利	西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司
8	CN102005505A	2011-04-06	2010-10-18	一种抑制光衰减的掺锡晶体硅太阳电池及其制备方法失效专利	浙江大学

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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