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一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710132842.2
IPC分类号：C30B29/06;C30B15/04
申请日期：
2007-10-08
申请人：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法
申请号	CN200710132842.2	申请日期	2007-10-08
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-07-16	公开/公告号	CN101220507
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;1;5;/;0;4查看分类表>
申请人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司	当前权利人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
发明人	陈根茂;彭江
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	陶海锋

摘要

本发明公开了一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法，先对精炼冶金硅进行破碎，除去可见杂质、化学清洗，再投入晶棒(锭)生长炉中，同时掺入镓或磷化镓，以镓的原子浓度计量，添加量在5ppma至14ppma之间，在晶棒(锭)生长完成后进行剖锭加工测量，获得所需的硅晶片。采用本发明的方法，可以用精炼冶金硅制造太阳能电池，降低了材料成本，有利于硅太阳能电池的普及应用。

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