太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210327712.5
IPC分类号：C30B29/06;H01L31/0288
申请日期：
2012-09-06
申请人：
西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司

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专利名称	太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法
申请号	CN201210327712.5	申请日期	2012-09-06
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-19	公开/公告号	CN102828243A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;8;8查看分类表>
申请人	西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司	申请人地址	陕西省西安市长安区航天中路388号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	隆基绿能科技股份有限公司	当前权利人	隆基绿能科技股份有限公司
发明人	张群社;祁伟
代理机构	西安弘理专利事务所	代理人	罗笛

摘要

本发明公开了一种太阳能电池用锗锡共掺单晶硅，在单晶硅中的三种杂质原子体积浓度分别为电活性杂质为1013～1021atoms/cm3、锗为1016～1019atoms/cm3、锡为1013～1016atoms/cm3。本发明还公开了上述太阳能电池用锗锡共掺单晶硅的制备方法，在太阳能级多晶硅原料中同时掺入电活性杂质、锗、锡，通过常规CZ法制得单晶硅，单晶硅中的上述三种杂质的最终原子体积浓度分别为上述的数值，即成。本发明方法制备的单晶硅，对日光转换效率更好，光衰更小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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