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具有异质层状结构的SrTiO3基储能介质陶瓷及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910192789.8
  • IPC分类号:C04B35/47;C04B35/46;B32B9/00;B32B9/04;B32B37/10;B32B37/06
  • 申请日期:
    2019-03-11
  • 申请人:
    西南科技大学;方兴河北新材料科技有限公司
著录项信息
专利名称具有异质层状结构的SrTiO3基储能介质陶瓷及其制备方法
申请号CN201910192789.8申请日期2019-03-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-05-10公开/公告号CN109734440A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/47IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;7;;;C;0;4;B;3;5;/;4;6;;;B;3;2;B;9;/;0;0;;;B;3;2;B;9;/;0;4;;;B;3;2;B;3;7;/;1;0;;;B;3;2;B;3;7;/;0;6查看分类表>
申请人西南科技大学;方兴河北新材料科技有限公司申请人地址
四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西南科技大学,方兴河北新材料科技有限公司当前权利人西南科技大学,方兴河北新材料科技有限公司
发明人刘敬松;李惠琴;余洪滔;杨亚函
代理机构成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙)代理人何悦
摘要
本发明公开了具有异质层状结构的SrTiO3基储能介质陶瓷及其制备方法,具有异质层状结构的SrTiO3基储能介质陶瓷的制备方法,将改性SrTiO3基储能介质陶瓷生瓷带、TiO2生瓷带、改性SrTiO3基储能介质陶瓷生瓷带依次堆叠放置,形成三明治结构,并经冷等静压成型后,得到复合素坯,将复合素坯经排胶后在1220‑1270℃下烧结1‑2小时,即得到具有异质层状结构的SrTiO3基储能陶瓷。本发明在SrTiO3基陶瓷中引入相对较低介电常数和高绝缘性的金红石TiO2陶瓷层,形成了具有三明治结构的异质层状介质陶瓷,大幅度提升了SrTiO3基储能介质陶瓷的击穿场强,保证了该介质陶瓷可以在更高的电压下工作。本发明制备出的具有异质层状结构的SrTiO3基储能介质陶瓷,其最大储能密度从1.7J/cm3增加到9.4J/cm3。

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