一种制备半导体石墨烯的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810734820.1
IPC分类号：C01B32/19;C01B32/194
申请日期：
2018-07-06
申请人：
亨熙（上海）实业有限公司

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著录项信息

专利名称	一种制备半导体石墨烯的方法
申请号	CN201810734820.1	申请日期	2018-07-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-14	公开/公告号	CN110683531A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/19 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/15 纳米级碳材料〔2017.01〕 C01B32/182 石墨烯〔2017.01〕 C01B32/184 制备〔2017.01〕 C01B32/19 剥离〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;1;9;;;C;0;1;B;3;2;/;1;9;4查看分类表>
申请人	亨熙（上海）实业有限公司	申请人地址	上海市杨浦区延吉中路77号302-C7室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	亨熙（上海）实业有限公司	当前权利人	亨熙（上海）实业有限公司
发明人	李四中;茅勇平;马榕
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种制备硼掺杂半导体石墨烯的方法，用化学气相沉积的方法在钨丝表面利沉积碳元素与硼元素，在高温下实现硼子在碳原子的替代性掺杂。本发明通过利用碳源与硼源的气相高温沉积，在钨丝表面析出的碳以石墨或者石墨烯的形式存在，硼原子和碳原子大小差别较小，在硼原子在沉积的过程中会扩散到碳中，得到硼掺杂石墨烯。后将石墨烯作为沟道材料制备成场效应管进行电学表征，结果证明硼掺杂石墨烯是半导体材料。本发明易于连续化生产，是一种优异的半导体石墨烯材料，可广泛应用电子器件等领域。

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