一种提高直拉硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210059757.9
IPC分类号：C30B15/00;C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06
申请日期：
2012-03-08
申请人：
天津市环欧半导体材料技术有限公司

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专利名称	一种提高直拉硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法
申请号	CN201210059757.9	申请日期	2012-03-08
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-18	公开/公告号	CN102586862A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;1;5;/;0;4;;;C;3;0;B;1;5;/;2;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	天津市环欧半导体材料技术有限公司	申请人地址	内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	内蒙古中环领先半导体材料有限公司	当前权利人	内蒙古中环领先半导体材料有限公司
发明人	菅瑞娟;张雪囡;李建宏;李亚哲;刘一波;宋都明
代理机构	天津中环专利商标代理有限公司	代理人	莫琪

摘要

本发明涉及一种提高直拉硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法，其特征在于，通过在单晶炉外部安装行波磁场发生器，在拉晶过程中向硅熔体施加行波磁场；所述行波磁场发生器采用圆筒型发生器，圆筒型发生器产生的圆筒型行波磁场使硅熔体的对流具有轴对称性，行波磁场N极和S极的间距为1～50cm，磁场的最大强度为400～800Gauss，磁场速度为1～4cm/s；通过磁场作用，促进同一水平高度的硅熔体对流，稳定硅熔体对流形状和强度，通过调整对流路径和增加对流强度，最终使掺杂剂在硅熔体中的分布更佳均匀，有效促进硅熔体的对流，抑制高浓度掺杂剂的向下沉积问题，提高直拉重掺硅单晶的径向电阻率均匀性。

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