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一种沟道长度可调的DDDMOS结构及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110684631.X
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
  • 申请日期:
    2021-06-21
  • 申请人:
    上海华力集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称一种沟道长度可调的DDDMOS结构及其制造方法
申请号CN202110684631.X申请日期2021-06-21
法律状态公开申报国家暂无
公开/公告日2021-10-19公开/公告号CN113517347A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人上海华力集成电路制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力集成电路制造有限公司当前权利人上海华力集成电路制造有限公司
发明人汪雪娇;何志斌;王海涛;石晶;徐翠芹;刘巍
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人戴广志
摘要
本发明提供一种沟道长度可调的DDDMOS结构及其制造方法,位于P型基底上的N型深阱;位于N型深阱上的IO阱;位于IO阱两侧的LDD区;LDD区内分别设有源漏区;LDD区之间的IO阱上设有栅极;栅极设有一凹槽,所述凹槽底部为IO阱的上表面;凹槽的宽度为0.1μm;并且凹槽的一端与栅极的一侧贯通,凹槽的另一端终止于栅极以内,并且凹槽内的IO阱中注入有源漏区的离子。本发明是提供一种HK逻辑工艺平台中CMOS工艺兼容的DDDMOS结构及其制法,本发明通过合理的器件设计,DDDMOS沟道长度灵活可调,在不增加任何工艺成本的前提下可以满足电性参数要求。

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