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Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03113770.9
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2003-02-18
  • 申请人:
    华南师范大学
著录项信息
专利名称Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件
申请号CN03113770.9申请日期2003-02-18
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2003-07-23公开/公告号CN1431722
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人华南师范大学申请人地址
广东省广州市天河区石牌 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南师范大学当前权利人华南师范大学
发明人范广涵
代理机构广州粤高专利代理有限公司代理人何燕玲;罗勇
摘要
本发明涉及半导体器件,准确地是一种III族氮化物的半导体蓝色发光器件,其有源区两侧的包层中至少包括一层M*(Alx1Inx2Gax3N-Aly1Iny2Gay3N)应变层超晶格结构,该结构能消除GaN与衬底晶格失配引起的缺陷,比通常的AlGaN包层有改善晶体完整性等优点,能更有效和更均匀的将载流子限制在有源区,从而提高复合发光效率和均匀性。

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