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发光器件和使用该发光器件的电子器具

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610094005.0
  • IPC分类号:H01L51/50
  • 申请日期:
    2006-06-22
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称发光器件和使用该发光器件的电子器具
申请号CN200610094005.0申请日期2006-06-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-12-27公开/公告号CN1885585
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/50IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;5;0查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人岩城裕司;濑尾哲史;川上贵洋;池田寿雄;坂田淳一郎;青山智哉
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人任宗华
摘要
发光器件包括一对电极和在一对电极之间提供的混合层。混合层包含不含氮原子的有机化合物,即不含有芳胺骨架的有机化合物,和金属氧化物。作为有机化合物,优选使用含有蒽骨架的芳烃。作为这样的芳烃,列举t-BuDNA、DPAnth、DPPA、DNA、DMNA、t-BuDBA等。作为金属氧化物,优选使用氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等。此外,当测量吸收光谱时混合层优选显示每1μm的吸光度是1或更小或在450-650nm的光谱中不显示明显的吸收峰。

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