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一种PPTC表面电极制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010845511.9
  • IPC分类号:H01C17/28H01C7/02
  • 申请日期:
    2020-08-20
  • 申请人:
    苏州达晶半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种PPTC表面电极制作方法
申请号CN202010845511.9申请日期2020-08-20
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-12-11公开/公告号CN112071542A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01C17/28IPC分类号H01C17/28;H01C7/02查看分类表>
申请人苏州达晶半导体有限公司申请人地址
江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1-*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州达晶半导体有限公司当前权利人苏州达晶半导体有限公司
发明人田伟;廖兵
代理机构天津市弘知远洋知识产权代理有限公司代理人刘英烈
摘要
本发明公开了一种PPTC表面电极制作方法,包括下挡板包括底板和位于底板四周的挡框,所述底板和挡框固定连接并形成基板放置槽,使用上挡板和下挡板将整片PPTC基板夹住并固定;将被上挡板和下挡板夹住的整片PPTC基板放入溅射机器上的轨道支架上并进行固定;支架进入溅射机器的溅射室内,给靶材通电进行溅射;溅射完成之后,从支架上取出并拆除上挡板和下挡板,将PPTC基板切割成单颗PPTC芯片,本发明通过上挡板和下挡板夹住PPTC基板,上挡板和下挡板上制作镂空槽,再进行上下表面溅射金属层,镂空部位会溅镀上金属层形成电极,从而省略了金属电极化学蚀刻工序,直接制作成电极图形,具有工艺步骤简单,实施过程更加环保,提高生产效率的优点。

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